高純鈦?zhàn)鳛殡娮有畔㈩I(lǐng)域重要的功能薄膜材料，近年來(lái)隨著我國(guó)集成電路、平面顯示、太陽(yáng)能等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展需求量快速上升。磁控濺射技術(shù)（ＰＶＤ）技術(shù)是制備薄膜材料的關(guān)鍵技術(shù)之一，高純鈦濺射靶材是磁控濺射工藝中的關(guān)鍵耗材，具有廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景。鈦靶材 作為高附加值的鍍膜材料，在化學(xué)純度、組織性能等方面具有嚴(yán)格的要求，技術(shù)含量高、加工難度大，我國(guó)靶材制造企業(yè)在高端靶材制造領(lǐng)域起步相對(duì)較晚，在基礎(chǔ)原材料純度方面相對(duì)落后，靶材制備技術(shù)如組織控制、工藝成型等核心工藝技術(shù)方面與國(guó)外也存在一定的差距。針對(duì)下游高端應(yīng)用，開(kāi)發(fā)高性能鈦濺射靶材，是實(shí)現(xiàn)電子信息制造業(yè)關(guān)鍵材料的自主研制和推動(dòng)鈦工業(yè)向高端轉(zhuǎn)型升級(jí)的重要舉措。

鈦靶材的應(yīng)用及性能要求

磁控濺射 Ti靶材主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè)，如集成電路、平面顯示屏和家裝汽車(chē)行業(yè)裝飾鍍膜領(lǐng)域，如玻璃裝飾鍍膜和輪轂裝飾鍍膜等。不同行業(yè) Ti靶材要求也有很大差別，主要包括：純度、微觀組織、焊接性能、尺寸精度幾個(gè)方面，具體指標(biāo)要求如下：

1）純度 ：非集成電路用：99.9％; 集成電路用：99.995％、99.99％。

2）微觀組織： 非集成電路用：平均晶粒小于100μｍ ;集成電路用：平均晶粒小于30μｍ、 超細(xì)晶平均晶粒小于10μｍ 。

3)焊接性能： 非集成電路用：釬焊、單體； 集成電路用：?jiǎn)误w、釬焊、擴(kuò)散焊 。

4)尺寸精度： 非集成電路用：0.1ｍｍ; 非集成電路用：0.01ｍｍ。

1.1集成電路用 Ti靶材

集成電路Ｔｉ靶材純度主要大于99.995％ 以 上，目前主要依賴(lài)進(jìn)口。2013年，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售收入2508億元，進(jìn)口額高達(dá)2313億美元，首次成為我國(guó)第一大進(jìn)口商品。2014年，集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售收入為2672億元，進(jìn)口額仍達(dá)到2176億美元。集成電路用靶材在全球靶材市場(chǎng)中占較大份額。

Ti靶材原材料方面：高純Ｔｉ生產(chǎn)主要集中在 美 國(guó)、日 本 等 國(guó) 家，如美國(guó) Ｈｏｎｅｙｗｅｌｌ， 日本東邦、日本大阪鈦業(yè)；國(guó)內(nèi)起步較晚，2010年后 北京有色金屬研究院、遵義鈦業(yè)、寧波創(chuàng)潤(rùn)等陸續(xù)推出國(guó)產(chǎn)的高純 Ti產(chǎn)品，但是產(chǎn)品穩(wěn)定性還待提高。

Ti靶材的結(jié)構(gòu)發(fā)展方面：早期芯片代工廠利潤(rùn)空間大，主要使用100～150ｍｍ 磁控濺射機(jī)臺(tái)，而且功率小，濺射薄膜較厚，芯片的尺寸較大，單體靶材的 性能能夠滿(mǎn)足當(dāng)時(shí)機(jī)臺(tái)的使用要求，當(dāng)時(shí)集成電路 用 Ti靶材主要100～150ｍｍ 單體和組合型靶材， 如典型3180型，3290型靶材等。第二階段，按照摩爾定律發(fā)展，芯片線(xiàn)寬變窄，芯片代工廠主要使用150～200ｍｍ 濺射機(jī)臺(tái)，為提高利潤(rùn)空間，機(jī)臺(tái)的濺射功率提高，這就要求靶材尺寸加大，同時(shí)保持高導(dǎo)熱、低價(jià)格和一定的強(qiáng)度，本時(shí)期Ｔｉ靶材以鋁合金背板擴(kuò)散焊接和銅合金背板釬焊焊接兩種結(jié)構(gòu)為主，如典型 ＴＮ、ＴＴＮ 型，Ｅｎｄｕｒａ5500型等靶材。第 三階段，隨集成電路發(fā)展，芯片線(xiàn)寬進(jìn)一步變窄，此 時(shí)芯片代工廠主要使用200～300ｍｍ 濺射機(jī)臺(tái)，為進(jìn)一步提高利潤(rùn)空間，機(jī)臺(tái)的濺射功率提高，這就要求靶材尺寸加大，同時(shí)保持高導(dǎo)熱和足夠的強(qiáng) 度。本時(shí)期Ｔｉ靶材以銅合金背板擴(kuò)散焊 接 為 主，如主流ＳＩＰ型靶材。

Ti靶材加工制造方面：早期國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)基本被美國(guó)、日本等大的靶材制造商壟斷，２０００年后國(guó)內(nèi)的制造業(yè)逐步進(jìn)入靶材市場(chǎng)，開(kāi)始進(jìn)口高純 Ti原材料加工低 端的靶材，最近幾年國(guó)內(nèi) Ti靶材制造企業(yè)發(fā)展較快，市場(chǎng)份額逐步擴(kuò)大到臺(tái)灣、歐美等市場(chǎng)，如有研億金和 江峰電子兩企業(yè)專(zhuān)注靶材制造多年。國(guó)內(nèi)的靶材制造 企業(yè)也正在和國(guó)內(nèi)的磁控濺射機(jī)臺(tái)制造商聯(lián)合開(kāi)發(fā)靶材，推動(dòng)國(guó)內(nèi)集成電路磁控濺射產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

1.2 平面顯示器用 Ti靶材

平面顯示器包括：液晶顯示器（ＬＣＤ）、等離子體顯示器（ＰＤＰ）、場(chǎng)致發(fā)光顯示器（Ｅ－Ｌ）、場(chǎng)發(fā)射顯示器（ＦＥＤ）。

目前，在平面顯示器市場(chǎng)中以液晶顯示器 ＬＣＤ 市場(chǎng)最大，份額高達(dá)90％以上。ＬＣＤ 被認(rèn)為是目前最有應(yīng)用前景的平板顯示器件，它的出現(xiàn)大大擴(kuò)展了顯示器的應(yīng)用范圍，從筆記本電腦顯示器、臺(tái)式電腦 監(jiān)視器、高清晰液晶電視以及移動(dòng)通信，各種新型 ＬＣＤ 產(chǎn)品正在沖擊著人們的生活習(xí)慣，并推動(dòng)著世界信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展。ＴＦＴ－ＬＣＤ 技術(shù)是微電子技術(shù)與液晶技術(shù)巧妙結(jié)合的一 種技術(shù)，目前已經(jīng)成為平面顯示主流技術(shù)，其中又分 AL－Ｍｏ、AL－ Ti、Ｃｕ－Ｍｏ等工藝。

平面顯示器的薄膜 多采用濺射成形 。Ａｌ、Ｃｕ、 Ti、Ｍｏ等靶材是目前平面顯示器主要金屬靶材，平面顯示器用 Ｔｉ靶材純度大于99.9％，此原材料能夠國(guó)產(chǎn)。ＴＦＴ－ＬＣＤ６代線(xiàn)用平面Ｔｉ靶材尺寸比較大，結(jié)構(gòu)采用銅合金水冷背板靶材，應(yīng)用有中電熊貓等。

目前中國(guó)自主建設(shè)的全球最高世代線(xiàn)－合肥10.5代線(xiàn)主要生 產(chǎn)大尺寸超高清液晶顯示屏，設(shè)計(jì)產(chǎn)能為每月9萬(wàn) 片玻璃基板，玻璃基板尺寸為3370×2940ｍm,總投資400億元，2018年二季度投產(chǎn)，采用濺射 機(jī)臺(tái)及相應(yīng)的技術(shù)和靶材還不確定。

2 磁控濺射 Ti靶材制備技術(shù)

Ti靶材的原材料制備技術(shù)方法按生產(chǎn)工藝可分為電子束熔煉坯（簡(jiǎn)稱(chēng) ＥＢ坯）和真空自耗電弧爐熔煉坯（簡(jiǎn)稱(chēng)（ＶＡＲ）坯）兩大類(lèi)，在靶材制備過(guò)程 中，除嚴(yán)格控制材料純度、致密度、晶粒度以及結(jié)晶取向之外，對(duì)熱處理工藝條件、后續(xù)成型加工過(guò)程亦需加以嚴(yán)格控制，以保證靶材的質(zhì)量。

對(duì)于高純 Ti的原材料通常先采用熔融電解的方法去除 Ti基體中高熔點(diǎn)的雜質(zhì)元素，再采用真空電子束熔煉進(jìn)一步提純。真空電子束熔煉就是采用高能量電子束流轟擊金屬表面后，隨后溫度逐漸升高直至金屬熔化，蒸氣壓大的元素將優(yōu)先揮發(fā)，蒸氣壓小的元素存留于熔體中，雜質(zhì)元素與基體的蒸氣壓相差越大，提純的效果越好。而熔化后的真空精煉，其優(yōu)點(diǎn)在于不引入其他雜質(zhì)的前提下去除 Ti基體中的雜質(zhì)元素。因此，當(dāng)在高真空環(huán)境下（10－4以 上）電子束熔煉99.99％電解 Ti時(shí)，原料中 飽和蒸氣壓高于 Ti元素本身飽和蒸氣壓的雜質(zhì)元素（Ｆｅ、 Ｃｏ、Ｃｕ）將優(yōu)先揮 發(fā)，使基體中雜質(zhì)含量減少，達(dá)到提純之目的。兩種方法結(jié)合使用可以 得到純度99.995以上的高純金屬 Ｔｉ。

對(duì)于純度在 99.9％Ｔｉ原材料多采用０級(jí)海綿 Ti經(jīng)真空自耗電弧爐熔煉，再經(jīng)過(guò)熱鍛造開(kāi)坯形成小尺寸的坯料。 這兩種方法制備的金屬 Ti原材料通過(guò)熱機(jī)械變形控制其整個(gè)濺射表面微觀組織一致，然后經(jīng)過(guò)機(jī)加工、綁定、清洗和包裝等工序加工成制備集成電路用磁控濺射Ｔｉ靶材，對(duì)于300ｍｍ機(jī)臺(tái)要求特別高的 Ti靶材，在包裝前靶材的濺射面還要預(yù)濺射減少靶材安裝在濺射機(jī)臺(tái)上燒靶時(shí)間（Ｂｕｒｎ－ ｉｎｇｔｉｍｅ）。

集成電路Ｔｉ靶材制備方法制備的靶材 工藝復(fù)雜，成本相對(duì)較高。

3.Ti靶材的技術(shù)要求

為確保沉積薄膜的質(zhì)量，靶材的質(zhì)量必須嚴(yán)格控制，經(jīng)大量實(shí)踐，影響 Ti靶材質(zhì)量的主要因素包括純度、平均晶粒尺寸、結(jié)晶取向與結(jié)構(gòu)均勻性、幾何形狀與尺寸等。

3.1 純度

Ｔｉ靶材的純度對(duì)濺射薄膜的性能影響很大。

Ti靶材的純度越高，濺射Ｔｉ薄膜的中的雜質(zhì)元素粒子越少，導(dǎo)致薄膜性能越好，包括耐蝕性及電學(xué)、 光學(xué)性能越好。不過(guò)在實(shí)際應(yīng)用中，不同用途 Ti靶材對(duì)純度要求不一樣。例如，一般裝飾鍍膜用 Ti靶材對(duì)純度的要求并不苛求，而集成電路、顯示器體等領(lǐng)域用 Ti靶材對(duì)純度的要求高很多。靶材作為濺射中的陰極源，材料中的雜質(zhì)元素和氣孔夾雜是沉積薄膜的主要污染源。氣孔夾雜會(huì)在鑄錠無(wú)損探傷的過(guò)程中基本去除，沒(méi)有去除的氣孔夾雜在濺射的 過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生尖端放電現(xiàn)象（Ａｒｃｉｎｇ），進(jìn)而影響薄膜的質(zhì)量；而雜質(zhì)元素含量只能在全元素分析測(cè)試結(jié)果中體現(xiàn)，雜質(zhì)總含量越低， Ti靶材純度就越高。早期國(guó)內(nèi)沒(méi)有高純鈦濺射靶材的標(biāo)準(zhǔn)，都是參照國(guó)內(nèi)外的 Ti靶材制 造公司的要求，2013年后頒布標(biāo)準(zhǔn)《ＹＳ／Ｔ893－2013 電子薄膜用高純鈦濺射靶材》， 規(guī)定3個(gè)純度 Ti靶材單個(gè)雜質(zhì)含量及總雜質(zhì)含量 不同的要求，此標(biāo)準(zhǔn)正在逐步規(guī)范繁亂 Ti靶材市場(chǎng)純度需求。

3.2平均晶粒尺寸

通常 Ti靶材為多晶結(jié)構(gòu)，晶粒大小可由微米到毫米量級(jí)，細(xì)小尺寸晶粒靶的濺射速率要比粗晶粒靶快，在濺射面晶粒尺寸相差較小的靶，濺射沉積薄膜的厚度分布也較均勻。研究發(fā)現(xiàn)，若將鈦靶的晶粒尺寸控制 在１００μｍ 以下，且晶粒大小的變化保持在２０％以?xún)?nèi)，其濺射所得薄膜的質(zhì)量可得到大幅度改善。集成電路用 Ｔｉ靶材 平 均晶粒尺寸 一般要求在30μｍ 以?xún)?nèi)，超細(xì)晶 Ti靶材平均晶粒尺寸在10μｍ 以下。

3.3 結(jié)晶取向

金屬Ti是密排六方結(jié)構(gòu)，由于在濺射時(shí) Ti靶材原子容易沿著原子六方最緊密排列方向優(yōu)先濺射出來(lái)，因此，為達(dá)到最高濺射速率，可通過(guò)改變靶材結(jié)晶結(jié)構(gòu)的方法來(lái)增加濺射速率。目前大多數(shù)集成電路Ｔｉ靶材濺射面｛１０１３｝晶面族為６０％以上，不同廠家生產(chǎn)的靶材晶粒取向略有不同， Ti靶材的結(jié)晶方向?qū)R射膜層的厚度均勻性影響也較大 。平面顯示和裝飾鍍膜的薄膜尺寸偏厚，所以對(duì)應(yīng) Ti靶材對(duì)晶粒取向要求比較低。

3.4 結(jié)構(gòu)均勻性

結(jié)構(gòu)均勻性也是考察靶材質(zhì)量的重要指標(biāo)之一。對(duì)于 Ti靶材不僅要求在靶材的濺射平面，而且在濺射面的法向方向成分、晶粒取向和平均晶粒度均勻性。只有這樣 Ti靶材在使用壽命內(nèi)，在同一時(shí) 間內(nèi)能夠得到厚度均勻、質(zhì)量可靠的、晶粒大小一致的 Ti薄膜。

3.5 幾何形狀與尺寸

主要體現(xiàn)在加工精度和加工質(zhì)量方面，如加工尺寸、表面平整度、粗糙度等。如安裝孔角度偏差過(guò)大，無(wú)法正確安裝；厚度尺寸偏小會(huì)影響靶材的使用 壽命；密封面和密封槽尺寸過(guò)于粗糙會(huì)導(dǎo)致靶材安裝后真空出現(xiàn)問(wèn)題，嚴(yán)重的導(dǎo)致漏水；靶材濺射面粗糙化處理可使靶材表面布滿(mǎn)豐富的凸起尖端，在尖端效應(yīng)的作用下，這些凸起尖端的電勢(shì)將大大提高， 從而擊穿介質(zhì)放電，但是過(guò)大的凸起對(duì)于濺射的質(zhì)量和穩(wěn)定性是不利的。

3.6焊接結(jié)合

目前關(guān)于 Ti／Ａｌ異種金屬擴(kuò)散焊接研究的論文較多，通常對(duì)于高熔點(diǎn)鈦與低熔點(diǎn)鋁材料的擴(kuò)散焊接，主要是基于單向或者雙向加壓的真空擴(kuò)散連接技術(shù)進(jìn)行研究或采用熱等靜壓技術(shù)實(shí)現(xiàn)鈦、鋁 金屬材料的高壓中低溫直接擴(kuò)散連接。 Ti／Ｃｕ 及 Ｃｕ合金焊接國(guó)內(nèi)廠商應(yīng)用很多，但是研究論文較少。

4、 Ti靶材展望

全球靶材制造基地正在快速向亞洲地區(qū)聚集。 隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體集成電路、平面顯示及裝飾鍍膜等高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，中國(guó)的靶材市場(chǎng)日益擴(kuò)大， 已逐漸成為世界薄膜靶材的最大需求地區(qū)之一，這為中國(guó)靶材制造業(yè)的發(fā)展提供了機(jī)遇和挑戰(zhàn)。

近幾年，在集成電路產(chǎn)業(yè)基金、國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)（01、 02、03）及地方基金等國(guó)家隊(duì)的帶動(dòng)下，集成電路產(chǎn)業(yè)投資可謂大熱，據(jù)統(tǒng)計(jì)，僅2015—2016兩年間，國(guó)內(nèi)已經(jīng)宣布在建或計(jì)劃開(kāi)工的晶圓生產(chǎn)線(xiàn)就多達(dá) 44條，其中300ｍｍ１８條，200ｍｍ20條，150ｍｍ ６條。在此巨大市場(chǎng)需求的拉動(dòng)下，靶材產(chǎn)業(yè)必將引起了我國(guó)有關(guān)科研院所和企業(yè)的重視和關(guān) 注，紛紛投入人力、物力、財(cái)力從事磁控濺靶材的研發(fā)和生產(chǎn)。

Ti靶材作為靶材領(lǐng)域的獨(dú)特一個(gè)分支無(wú)論在半導(dǎo)體 Ａｌ工藝或 Ｃｕ工藝下都有應(yīng)用，同時(shí) 在液晶顯示器行業(yè)和裝飾鍍膜行業(yè)有著廣泛的應(yīng)用。目前 Ti靶材研發(fā)生產(chǎn)的基地主要集中在北京、 廣東地區(qū)、江浙、甘肅 等地。由于 靶材原料純度、 生產(chǎn)裝備和工藝研發(fā)技術(shù)的限制，我國(guó) Ti靶材制造業(yè)還處于初創(chuàng)期 ，國(guó)內(nèi) Ti靶材生產(chǎn)企業(yè)基本屬于質(zhì)量和技術(shù)門(mén)檻較低、采用傳統(tǒng)加工方法、依靠?jī)r(jià)格取勝的低檔次濺射靶材生產(chǎn)者，或獲利有限的代工型加工廠。生 產(chǎn)規(guī)模小，品種單一，技術(shù)還不穩(wěn)定，迄今為止，中國(guó) （包括中國(guó)臺(tái)灣）僅有幾家生產(chǎn)靶材的專(zhuān)業(yè)公司，如有研億金、江峰電子等企業(yè)，生產(chǎn)的Ｔｉ靶材 遠(yuǎn) 遠(yuǎn)不能滿(mǎn)足市場(chǎng)發(fā)展的需要，大量 Ti靶材還需從國(guó)外進(jìn)口，高純度金屬 Ti靶材的原材料已經(jīng)獲得突破，但是大部分還不得不依賴(lài)進(jìn)口。

Ti靶材作為一種具有特殊用途的材料，具有很強(qiáng)的 應(yīng)用目的和明確的應(yīng)用背景。脫離金屬 Ti的冶金提純技術(shù)、ＥＢ真空熔煉技術(shù)、 Ti錠無(wú)損探傷技術(shù)、 高純 Ti的雜質(zhì)分析技術(shù)、 Ti靶材的制備技術(shù)、濺射機(jī)臺(tái)制備技術(shù)、濺射工藝和薄膜性能測(cè)試技術(shù)單純地研究Ｔｉ靶材本身沒(méi)有任何意義。 Ti靶材的研發(fā)生產(chǎn)及后續(xù)的應(yīng)用改進(jìn)涉及一個(gè)從上游原材料到產(chǎn)業(yè)中游設(shè)備制造商和靶材制造商共同研發(fā)、下游 Ti 靶材鍍膜芯片應(yīng)用的 整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈。 Ti靶材性能與濺射薄膜性能之間的關(guān)系，既有利于獲得滿(mǎn)足應(yīng)用 需要的薄膜性能，又有利于更好的使用靶材，充分發(fā)揮其作用，促進(jìn)靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

目前正處在集成電 路產(chǎn)業(yè)在中國(guó)大陸蓬勃發(fā)展的階段，機(jī)遇和挑戰(zhàn)并存，如果不能抓住機(jī)遇把靶材制造、薄膜制造和檢測(cè) 設(shè)備國(guó)產(chǎn)化，我國(guó)與國(guó)際水平的差距必將越來(lái)越大， 不僅不能奪回由外商占領(lǐng)的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，更無(wú)法參與 國(guó)際市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)。